Heterozłączowy tranzystor bipolarny do niskoszumowych wzmacniaczy w.cz.

Renesas Electronics wprowadza na rynek nowy heterozłączowy tranzystor bipolarny o symbolu NESG7030M04, wykonany na podłożu SiGe:C. Jest to tranzystor zaprojektowany do niskoszumowych wzmacniaczy w.cz. stosowanych m.in. na kartach WLAN i w odbiornikach satelitarnych.

Wykazuje rekordowo mały współczynnik szumów, wynoszący zaledwie 0,75dB @ 5,8 GHz. Dla porównania, we wcześniejszych tranzystorach SiGe HBT uzyskiwano współczynnik szumów większy o 0,35dB.

NESG7030M04 zapewnia wzmocnienie mocy równe 14dB przy V_CE=2V i I_C=7mA i dużą stabilność parametrów w szerokim zakresie częstotliwości od kilku MHz do 14 GHz.