Podwójne asymetryczne tranzystory MOSFET PowerPAIR do przetwornic DC-DC

Nietypowe, podwójne asymetryczne tranzystory MOSFET rodziny PowerPAIR zostały zoptymalizowane do zastosowań w przetwornicach DC-DC o dużej sprawności i prądzie wyjściowym do 30A. Służą do realizacji synchronicznych przetwornic jedno- i wielofazowych pracujących w trybie obniżania napięcia wejściowego.

Oba tranzystory umieszczone wewnątrz obudowy różnią się parametrami, odpowiednio do roli pełnionej w układzie przetwornicy DC-DC (tranzystora sterującego lub synchronicznego przełącznika). ,

Umieszczenie obu elementów w pojedynczej, miniaturowej obudowie o optymalnym rozkładzie wyprowadzeń ułatwia projektowanie płytki drukowanej oraz zmniejsza indukcyjność szczątkową i straty na przełączanie. Tranzystory PowerPAIR są produkowane w 3 typach obudów o powierzchni 3 x 3mm, 6 x 3,7mm i 6 x 5mm.

Kanał VDS VGS RDS(on) @ VGS= QG @ VGS= ID @ t=
10V 4,5V 10V 4,5V 25°C 70°C
Asymetryczny, podwójny n-kanałowy
PowerPAIR 3 x 3mm
SiZ300DT 1 30V 20V 2,4mΩ 3,2mΩ 7,4nC 3,5nC 9,8A 7,8A
2 30V 20V 1,1mΩ 1,7mΩ 14,2nC 6,8nC 14,9A 11,9A
PowerPAIR 6 x 3,7mm
SiZ710DT 1 20V 20V 6,8mΩ 9mΩ 11,5nC 6,9nC 16A 15A
2 20V 20V 3,3mΩ 4,3mΩ 38nC 18,2nC 30A 24A
SiZ728DT 1 25V 20V 7,7mΩ 11mΩ 17nC 8,1nC 16A 14,2A
2 25V 20V 3,5mΩ 4,8mΩ 42,5nC 20,5nC 28,8A 23A
SiZ730DT 1 30V 20V 9,3mΩ 13mΩ 15,6nC 7,7nC 12,9A 10,3A
2 30V 20V 3,9mΩ 5,3mΩ 43nC 21,2nC 26,4A 21,1A
PowerPAIR 6 x 5mm
SiZ910DT 1 30V 20V 5,8mΩ 7,5mΩ 26nC 12,5nC 22A 17A
2 30V 20V 3,0mΩ 3,5mΩ 60nC 29nC 32A 26A
Asymetryczny, podwójny n-kanałowy z wewnętrzną diodą Schottky’ego
PowerPAIR 6 x 3,7mm
SiZ790DT 1 30V 20V 9,3mΩ 13mΩ 15,6nC 7,7nC 12,9A 10,3A
2 30V 20V 4,7mΩ 5,9mΩ 36nC 17nC 23,4A 18,7A

Zapytania ofertowe
Podwójne asymetryczne tranzystory MOSFET PowerPAIR do przetwornic DC-DC
Zapytanie ofertowe