Rodzina szybkich szeregowych pamięci EEPROM o pojemności do 1 Mb

Rohm Semiconductor rozszerza rodzinę szybkich pamięci EEPROM BR24 o nowe wersje produkowane w wersjach o pojemności 512 Kb i 1 Mb. Zawierają one interfejs I²C taktowany zegarem 1 MHz. Są pamięciami o strukturze typu double-cell, praktycznie eliminującej ryzyko błędów zapisu.

Pamięci zawierają ponadto podwójne zabezpieczenie Power ON Reset (POR) + Low Voltage Write Error Protection Circuit (LVCC) zapobiegające błędom wskutek resetowania lub zapisu danych w stanie niestabilnym przy włączaniu/wyłączaniu i chwilowym zanikom zasilania.

Nowe pamięci BR24 zapewniają niezawodność na poziomie 1 miliona cykli kasowania/zapisu i 40-letni czas przechowywania danych. Pracują z napięciem zasilania od 1,7 do 5,5 V. Są produkowane w standardowych obudowach JEDEC, m.in. SO-8 i TSSOP-8.