Liniowe tranzystory dużej mocy GaN na pasmo DC...4 GHz

Oferta firmy RF Micro Devices powiększyła się w ostatnim czasie o kolejne dwa tranzystory w.cz. dużej mocy do układów pracujących w zakresie częstotliwości od DC do 4 GHz. Zostały one wykonane na podłożach GaN. Mogą być stosowane w systemach komunikacyjnych wymagających szerokopasmowych elementów aktywnych o bardzo dobrej liniowości, pracujących z sygnałami o modulacji charakteryzującej się dużym stosunkiem wartości szczytowej do średniej.

Moc znamionowa RFHA3942 i RFHA3944 w systemach z falą ciągłą wynosi odpowiednio 35 i 65 W, wzmocnienie 15 dB, a szczytowa sprawność przekracza 55%. Dopuszczalny zakres temperatur pracy rozciąga się od -40 do +85°C.