Na konferencji Applied Power Electronics 2013 firma Infineon zaprezentowała dwie nowe rodziny szybkich krzemowych diod wysokonapięciowych Rapid 1 i Rapid 2 o napięciu przebicia 650 V i bardzo korzystnym współczynniku ceny do parametrów. Są to diody o małych stratach, łagodnej charakterystyce regeneracyjnej i małej emisji elektromagnetycznej, zaprojektowane do pracy w optymalnych dla siebie zakresach częstotliwości. Stanowią ogniwo pośrednie między diodami standardowymi o niskiej częstotliwości pracy i szybkimi diodami SiC.
Diody rodziny Rapid 1 cechuje niskie i stabilne w funkcji temperatury napięcie przewodzenia wynoszące 1,35 V. Zostały one zoptymalizowane do zastosowań w układach zasilania z korekcją PFC stosowanych w urządzeniach AGD oraz w falownikach systemów fotowoltaicznych pracujących z częstotliwością taktowania od 18 do 40 kHz.
Diody Rapid 2 charakteryzuje mały ładunek i krótki czas regeneracji (Qrr, trr). Są one przewidziane do pracy z częstotliwością przełączania z zakresu od 40 do 100 kHz. Ich zakres zastosowań obejmuje układy zasilania serwerów i systemów telekomunikacyjnych.