Tranzystory MOSFET o skutecznym odprowadzaniu ciepła i małej powierzchni obudowy

W ofercie firmy Panasonic pojawiły się dwa nowe tranzystory MOSFET - p-kanałowy FJ3P02100L (20 V/4,4 A) i n-kanałowy FK3P02110L (24 V/3 A) - wyróżniające się nietypową konstrukcją zapewniającą skuteczne odprowadzanie ciepła przy małej powierzchni obudowy. Są one nawet o 80% mniejsze pod względem powierzchni montażowej od tranzystorów konwencjonalnych o podobnych parametrach elektrycznych.

Z kolei w porównaniu do tranzystorów o tych samych wymiarach struktury półprzewodnikowej charakteryzują się mniejszą o połowę rezystancją RDS(on). Ze względu na swoje właściwości są polecane do zastosowań jako przełączniki zasilania w urządzeniach bateryjnych o dużej gęstości upakowania podzespołów.

Polaryzacja VDS
[V]
VGS
[V]
ID
[A]
RDS(on)
[VGS=2,5 V]
Pojemność
wejściowa
Wymiary
FJ3P02100L p -20 ±8 4,4 12,0 mΩ (typ.) 3000 pF 2,0 x 2,0 x 0,33 mm
FK3P02110L n 24 ±12 2 12,5 mΩ (typ.) 1500 pF 1,8 x 1,6 x 0,33 mm

 


Zapytania ofertowe
Tranzystory MOSFET o skutecznym odprowadzaniu ciepła i małej powierzchni obudowy
Zapytanie ofertowe