W ofercie firmy Panasonic pojawiły się dwa nowe tranzystory MOSFET - p-kanałowy FJ3P02100L (20 V/4,4 A) i n-kanałowy FK3P02110L (24 V/3 A) - wyróżniające się nietypową konstrukcją zapewniającą skuteczne odprowadzanie ciepła przy małej powierzchni obudowy. Są one nawet o 80% mniejsze pod względem powierzchni montażowej od tranzystorów konwencjonalnych o podobnych parametrach elektrycznych.
Z kolei w porównaniu do tranzystorów o tych samych wymiarach struktury półprzewodnikowej charakteryzują się mniejszą o połowę rezystancją RDS(on). Ze względu na swoje właściwości są polecane do zastosowań jako przełączniki zasilania w urządzeniach bateryjnych o dużej gęstości upakowania podzespołów.
| Polaryzacja | VDS [V] |
VGS [V] |
ID [A] |
RDS(on) [VGS=2,5 V] |
Pojemność wejściowa |
Wymiary | |
| FJ3P02100L | p | -20 | ±8 | 4,4 | 12,0 mΩ (typ.) | 3000 pF | 2,0 x 2,0 x 0,33 mm |
| FK3P02110L | n | 24 | ±12 | 2 | 12,5 mΩ (typ.) | 1500 pF | 1,8 x 1,6 x 0,33 mm |
Więcej na: www.semicon.panasonic.co.jp
