Pamięci NAND Flash MLC o pojemności 128 Gb

Samsung rozpoczyna masową produkcję pamięci NAND Flash o pojemności 128 Gb, produkowanych w procesie technologicznym 10 nm w oparciu o technologię Multi-level-cell (MLC) z zapisem 3 bitów informacji na pojedynczą komórkę. Układy te zapewniają szybkość transmisji danych na poziomie 400 Mbps. Umożliwią realizację kart pamięci o pojemności 128 GB i dysków SSD o pojemności przekraczającej 500 GB, co pozwoli na ich szerszą adaptację w laptopach.

Firma rozpoczęła prace nad 64-gigabitowymi pamięciami MLC NAND produkowanymi w technologii 10 nm w listopadzie ubiegłego roku, tak więc wprowadzenie do masowej produkcji kolejnej wersji 128 Gb zajęło mniej niż 5 miesięcy.