Diody Schottky\'ego dużej mocy na podłożach SiC

Toshiba rozpoczyna produkcję masową diod Schottky’ego dużej mocy TRS12E65C wykonywanych na podłożach z węgliku krzemu (SiC). Są one projektowane z myślą o zastosowaniach w zasilaczach impulsowych, systemach fotowoltaicznych i elektronice samochodowej. Charakteryzują się stabilniejszą pracą od podobnych diod wykonywanych na podłożach krzemowych, nawet w zakresie dużych napięć i prądów, co wynika z mniejszego wydzielania ciepła.

TRS12E65C jest diodą o napięciu przebicia 650 V i dopuszczalnym prądzie przewodzenia 12 A. Jej napięcie przewodzenia nie przekracza 1,7 V @ 12 A, a prąd wsteczny wynosi maksymalnie 90 µA @ V_RRM=650 V.