Podwójne tranzystory MOSFET do układów zarządzania zasilaniem
AP9922GEO-HF-3 i AP9923GEO-HF-3 to podwójne tranzystory MOSFET, odpowiednio n-kanałowy i p-kanałowy zaprojektowane do zastosowań w układach zarządzania zasilaniem urządzeń bateryjnych. Oba wyróżniają się małymi rozmiarami obudów, możliwością sterowania bramki niskim napięciem, już od 1,8 V i małą rezystancją RDS(on) wynoszącą odpowiednio 16 i 25 mΩ @ VGS=1,8 V.
Są tranzystorami o dopuszczalnej mocy strat 1 W, zamykanymi w obudowach TSSOP-8 i zdatnymi do pracy w zakresie temperatur złącza od -55 do +150°C.
AP9922GEO-HF-3 charakteryzuje się napięciem przebicia 20 V, dopuszczalnym ciągłym prądem drenu 6,4 A @ +25°C i dopuszczalnym prądem impulsowym 30 A. Dla AP9923GEO-HF-3 napięcie przebicia wynosi -12 V, dopuszczalny ciągły prąd drenu -7 A, a dopuszczalny prąd impulsowy -30 A.
