Superzłączowy MOSFET w 4-wyprowadzeniowej obudowie z dodatkowym wejściem sterującym

Firma STMicroelectronics wprowadza do oferty pierwszy superzłączowy tranzystor MOSFET produkowany w innowacyjnej 4-wyprowadzeniowej obudowie TO247-4 z dodatkową elektrodą źródła. Jest to elektroda połączona z wewnętrzną strukturą w układzie Kelvina, wykorzystywana tylko przy pracy impulsowej przez układ sterowania bramką. Pozwala wyeliminować indukcyjność głównej elektrody źródła, wykorzystywanej tu wyłącznie do polaryzacji.

Zapewnia znacznie mniejsze straty przy pracy impulsowej (jak podaje producent, nawet do 60%) i umożliwia stosowanie większej częstotliwości przełączania, a tym samym ograniczenie rozmiarów elementów filtra. TO247-4 to obudowa tania, wymagająca wprowadzenia jedynie drobnej modyfikacji płytki drukowanej w stosunku do standardu TO-247.

Nowe 4-wyjściowe tranzystory MOSFET są wykonywane w procesie technologicznym MDmesh V zapewniającym niezwykle małą rezystancję R_DS(on). Pierwszy, dostępny już model STW57N65M5-4 o parametrach znamionowych V_DS=710 V/I_D=42 A charakteryzuje się rezystancją R_DS(on) wynoszącą maksymalnie 0,063 Ω. Jego cena hurtowa wynosi 10 USD przy zamówieniach 1000 sztuk.