Małostratne tranzystory IGBT o parametrach znamionowych do 1350 V/40 A

ON Semiconductor wprowadza na rynek nową grupę tranzystorów IGBT charakteryzujących się zmniejszonymi nawet o 30% stratami mocy w porównaniu do elementów wcześniejszych serii, przekładającymi się na większą sprawność energetyczną urządzenia i mniejszą nawet o 20% temperaturę pracy tranzystora. Do pierwszej grupy tranzystorów nowej generacji Field Stop II (FSII) należą serie NGTBxxN120IHRWG i NGTBxxN135IHRW.

Obejmują one tranzystory o napięciach znamionowych odpowiednio 1200 i 1350 V oraz o dopuszczalnym prądzie przewodzenia 20, 30 i 40 A. Są polecane do zastosowań w indukcyjnych systemach grzewczych i aplikacjach typu soft switching pracujących z częstotliwością taktowania od 15 do 30 kHz. Dwie kolejne serie, NGTBxxN120FL2WG i NGTBxxN135FL2WG produkowane na zakres dopuszczalnych prądów przewodzenia do 100 A są zamykane w obudowach TO-247. Mogą pracować w zakresie temperatur złącza od -55 do +175°C. Są polecane do zastosowań w zasilaczach UPS i falownikach.