Seria n-kanałowych MOSFETów o prądzie drenu do 150 A i rezystancji R_DS(on) od 30 mΩ

Oferta n-kanałowych superzłączowych tranzystorów MOSFET serii E produkowanych przez firmę Vishay została rozszerzona o 22 nowe modele produkowane na zakres dopuszczalnych prądów drenu od 6 do 150 A. Są to tranzystory o napięciu znamionowym 650 V wyróżniające się bardzo małą rezystancją R_DS(on) wynoszącą już od 30 mΩ, dużą gęstością mocy i małym współczynnikiem FOM zapewniającym małe straty mocy przy pracy impulsowej.

Znajdują zastosowanie w zasilaczach impulsowych dużej mocy, układach korekcji PFC, spawarkach i systemach oświetleniowych. Wytrzymują duże impulsy energetyczne w trybie przebicia lawinowego i komutacyjnym z gwarantowanymi limitami określonymi w testach przełączania indukcyjnego (UIS). Dwa przykładowe elementy z nowej oferty to SiHP6N65E (650 V, 6 A, 600 mΩ) charakteryzujący się najmniejszym ładunkiem bramki równym 21 nC oraz SiHS105N65E (650 V, 105 A, 405 nC) charakteryzujący się najmniejszą rezystancją R_DS(on) równą 30 mΩ. Nowe tranzystory serii E są produkowane w obudowach TO220, DPak, D²Pak, IPak i TO247.