p-kanałowe MOSFETy 30 i 40 V w obudowach PowerPAK
W ofercie firmy Vishay pojawiły się dwa pierwsze tranzystory p-MOS TrenchFET trzeciej generacji o napięciach przebicia -30 i -40 V, zamykane w obudowach PowerPAK 1212-8S o wymiarach 3,3 x 3,3 mm. Są one przeznaczone do pracy przede wszystkim jako przełączniki zasilania w systemach zasilanych napięciami 12, 19 i 24 V.
Podobnie, jak poprzednie wersje cechują się rekordowo małą rezystancją kanału wynoszącą przykładowo 5,6 mΩ @ -10 V dla 30-woltowego SiSS27DN. Dopuszczalny prąd drenu wynosi dla SiSS27DN i SiS443DN odpowiednio 50 i 35 A.
| SiSS27DN | SiS443DN |
||
| VDS [V] |
-30 | -40 | |
| VGS [V] |
20 | 20 | |
| RDS(ON) [mΩ] @ |
10 V | 5,6 | 11,7 |
| 6 V | 7 | - | |
| 4,5 V | 9 | 16 | |
| Obudowa | PowerPAK 1212-8 |
Zapytania ofertowe
p-kanałowe MOSFETy 30 i 40 V w obudowach PowerPAK
Zapytanie ofertowe
