Dioda TVS o małej pojemności wewnętrznej i małych wymiarach

Firma Bourns opracowała nowy typ niskoprofilowej diody TVS o małej pojemności wewnętrznej, przeznaczonej do tłumienia wyładowań ESD, impulsów EFT i impulsów udarowych na zewnętrznych portach urządzeń elektronicznych. Spełnia w tym zakresie wymogi standardów IEC, odpowiednio 61000-4-2, 61000-4-4 i IEC 61000-4-5.

Model CDDFN2-T3.3B poza małymi wymiarami cechuje się też małą pojemnością wewnętrzną wynoszącą typowo 13,5 pF. Jest produkowany w obudowie DFN-2 (1,0 x 0,6 x 0,55 mm) porównywalnej pod względem powierzchni montażowej ze standardem 0402. Ceny hurtowe zaczynają się od 0,13 USD przy zamówieniach 12 tys. sztuk.

Pozostałe dane techniczne:

• napięcie pracy: -3,3...+3,3 V;
• napięcie przebicia (@ 1 mA): 4...6,5 V;
• napięcia poziomowania (@ I_PP=5 A, 8/20 µs): typ. 6,5, maks. 8 V;
• odporność na wyładowania ESD: 15 kV;
• odporność na impulsy EFT (5/50 ns): 50 A;
• odporność na impulsy udarowe (8/20 µs): 5A;
• zakres temperatur pracy: -55...+85°C.