Seria n-kanałowych MOSFETów 30 V do szybkich układów przełączających
Tajwańska firma Advanced Power Electronics rozszerzyła ofertę tranzystorów MOSFET o nową rodzinę 30-woltowych tranzystorów n-kanałowych produkowanych w kilku typach obudów o różnych współczynnikach ceny do parametrów termicznych. Generalnie, wszystkie modele dzięki małemu ładunkowi bramki (typ. 15 nC) mogą znaleźć zastosowanie w szybkich układach przełączających. Pracują w zakresie temperatur złącza od -55 do +150°C.
Najlepszymi parametrami termicznymi charakteryzuje się model AP4034GMT-HF-3, zamykany w obudowie PMPAK5x6 o wymiarach 6 x 5 x 1 mm. Może on pracować z maksymalnym prądem drenu równym 44,3 A, a jego rezystancja RDS(on) wynosi 8 mΩ.
AP4034GM-HF-3 to tranzystor produkowany w standardowej obudowie SO-8, którego rezystancja RDS(on) wynosi 9 mΩ, a dopuszczalny prąd drenu 13 A. Ostatni z nowych modeli, AP4034GYT-HF-3 charakteryzuje się identyczną rezystancją, jak poprzednik i zbliżonym dopuszczalnym prądem drenu (15,5 A), natomiast jest zamykany w mniejszej (3 x 3 x 1 mm) obudowie o PMPAK3x3 o mniejszej rezystancji termicznej. Wykonane na spodzie obudowy metalowe wyprowadzenie ułatwia odprowadzanie ciepła do płytki drukowanej. Tranzystor ten jest polecany do zastosowań w małogabarytowych przetwornicach DC-DC.
