Precyzyjny podwójny MOSFET o zerowym napięciu progowym i dużej dynamice zmian prądu drenu

ALD212900/A to podwójny tranzystor MOSFET o zerowym napięciu progowym, który w zakresie V_GS>0,0 V funkcjonuje jako tranzystor z kanałem wzbogacanym, a w zakresie V_GS<0,0 V jako tranzystor z kanałem zubażanym. Oba wewnętrzne tranzystory zostały precyzyjnie dopasowane w opracowanej przez Advanced Linear Devices technologii programowania elektronicznego EPAD.

ALD212900/A może znaleźć szeroki zakres zastosowań w źródłach i tzw. lustrach prądowych, układach pobierających zasilanie z przetworników wielkości nieelektrycznych (energy harvesting), detektorach przejścia przez zero, interfejsach czujników, stopniach wejściowych wzmacniaczy różnicowych o dużym wzmocnieniu, komparatorach napięcia oraz we wszelkiego typu układach analogowych i cyfrowych o bardzo małym napięciu zasilania. Funkcjonuje poprawnie już przy napięciu zasilającym 0,1 V.

Jest odpowiednikiem wprowadzonego wcześniej do sprzedaży wzmacniacza ALD110900/A, zapewniającym większą transkonduktancję i konduktancję wyjściową, zwłaszcza w zakresie bardzo małych napięć zasilania. Oba wewnętrzne tranzystory zapewniają dopasowane napięcia progowe V_GS(th) w zakresie do ±1 mV i dopasowane współczynniki temperaturowe. ALD212900/A jest zamykany w 8-wyprowadzeniowych obudowach SOIC i DIP. Pracuje w komercyjnym zakresie temperatur. Sugerowane ceny hurtowe zaczynają się od 2,20 USD.

Ważniejsze dane techniczne:

• napięcie zasilania: od 0,1 do 10 V;
• V_GS(th): 0,0 V ±0,01 V;
• offset (V_OS = V_GS(th)1-V_GS(th)2): typ. ±1 mV dla ALD212900A;
• T_CVOS: typ. 5 µV/°C;
• minimalne napięcie pracy: <100 mV;
• minimalny prąd: 1 nA;
• minimalna moc: <1 nW; R_DS(ON): 14 Ω;
• I_DS: >80 mA;
• impedancja wejściowa: 2,5 x 1010 Ω;
• wzmocnienie: >108 (30 mA/300 pA @ +25°C);
• czas włączania/wyłączania: typ. 10 ns;
• przesłuchy międzykanałowe: typ. 60 dB dla f=100 kHz.

Źródło prądowe z przełącznikiem MOSFET