Małostratne p-kanałowe MOSFETy w obudowach o powierzchni 3 x 3 mm
FDMC86261P (150 V) i FDMC86139P (100 V) to nowe p-kanałowe tranzystory MOSFET PowerTrench w ofercie Fairchild Semiconductor, charakteryzujące się znacznie mniejszymi stratami na przewodzenie i przełączanie w stosunku do wcześniejszych wersji. Są zamykane w obudowach MLP o powierzchni 3 x 3 mm, mniejszej o 70% od dotychczasowego standardu 6 x 5 mm.
FDMC86261P i FDMC86139P mogą pełnić funkcję kluczy w szybkich układach impulsowych, jak również przełączników zasilania. Przewodzą maksymalny ciągły prąd drenu wynoszący odpowiednio 9 i 15 A (przy TC=25°C). Ich maksymalna rezystancja RDS(on) wynosi odpowiednio 160 mΩ (VGS=-10 V, ID=-2,4 A) i 67 mΩ (VGS=-10 V, ID=4,4 A), a ładunek bramki 24 i 22 nC.
Ceny hurtowe FDMC86261P i FDMC86139P to 0,80 USD i 0,68 USD przy zamówieniach 1000 sztuk.
