Firma Alliance Memory wprowadza na rynek serię szybkich pamięci CMOS DDR SDRAM przystosowanych do pracy w przemysłowym zakresie temperatur od -40 do +85°C. Są one produkowane w czterech wersjach różniących się pojemnością: 64 Mb (AS4C4M16D1-5TIN), 128 Mb (AS4C8M16D1-5TIN), 256 Mb (AS4C16M16D1-5TIN) i 512 Mb (AS4C32M16D1-5TIN). Mogą być stosowane jako bezpośrednie zamienniki dla pamięci innych producentów w urządzeniach przemysłowych, medycznych i w telekomunikacji.
Pracują z pojedynczym napięciem zasilania +2,5 V. Wszystkie charakteryzują się podobną konfiguracją wewnętrzną; zawierają cztery banki o pojemności 1, 2, 4 lub 8 M słów 16-bitowych. Są produkowane w 66-nóżkowych obudowach TSOP II o rozstawie wyprowadzeń 0,65 mm, natomiast w przypadku trzech największych wersji dostępne są też obudowy TFBGA.
| Oznaczenie | AS4C4M16D1-5TIN | AS4C8M16D1-5TIN | AS4C16M16D1-5TIN | AS4C32M16D1-5TIN |
| Pojemność | 64 Mb |
128 Mb |
256 Mb |
512 Mb |
| Organizacja | 4 M x 16 bitów | 8 M x 16 bitów | 16 M x 16 bitów | 32 M x 16 bitów |
| Zegar | 200 MHz |
200 MHz | 200 MHz | 200 MHz |
| Przepustowość | 400 Mbps/pin |
400 Mbps/pin | 400 Mbps/pin | 400 Mbps/pin |
| Obudowa | 66-pin TSOP II | 66-pin TSOP II 60-ball TFBGA |
66-pin TSOP II 60-ball TFBGA |
66-pin TSOP II 60-ball TFBGA |
Więcej na: www.alliancememory.com
