Miniaturowe MOSFETy 1,5 x 1,0 mm do obwodów zasilania i ładowarek

Toshiba wprowadza na rynek dwa miniaturowe tranzystory MOSFET: n-kanałowy SSM6K781G i p-kanałowy SSM6J771G, zaprojektowane do zastosowań w ładowarkach i obwodach zarządzania zasilaniem urządzeń bateryjnych. Oba są produkowane w obudowach WCSP6C o bardzo małych wymiarach (1,5 x 1,0 mm) i równocześnie bardzo dobrej przewodności termicznej, umożliwiających rozproszenie mocy do 1,2 W.

Kolejne zalety tych elementów to mała rezystancja kanału i bardzo mała pojemność wejściowa, zmniejszające straty przy pracy impulsowej. Przy napięciu bramka-źródło równym 4,5 V, rezystancja R_DS(on) wynosi dla SSM6K781G i SSM6J771G odpowiednio 14,4 mΩ i 26 mΩ. Dopuszczalne prądy drenu to odpowiednio 7 i 5 A.