Najmniejsze na rynku tranzystory MOSFET w obudowach o wymiarach 0,6 x 0,4 x 0,36 mm
Produkt firmy:
Rohm
Firma Rohm zaprezentowała nową serię tranzystorów MOSFET produkowanych w obudowach o wymiarach 0,6 x 0,4 x 0,36 mm, będących według zapewnień producenta najmniejszymi obecnie tego typu elementami dostępnymi na rynku. Charakteryzują się one dwukrotnie mniejszą powierzchnią montażową od konwencjonalnych wersji, zredukowaną do 0,24 mm².
Nowa oferta obejmuje 5 tranzystorów n-kanałowych i 3 tranzystory p-kanałowe, produkowane na zakres napięć przebicia od 20 do 60 V. Mogą one przewodzić prąd drenu o natężeniu do 0,7 A. W stosunku do wcześniejszej serii VML0805, nowe tranzystory VML0604 zapewniają mniejszą nawet o ponad 80% rezystancję RDS(on) wynoszącą od 0,25 Ω przy napięciu sterowania 4,5 V.
| Oznaczenie | Kanał | VDSS [V] | ID [A] | typ. RDS(on) [Ω] | VGS [V] |
|||||
| VGS [V] | ||||||||||
| 0,9 | 1,2 | 1,5 | 2,5 | 4,5 | 10 | |||||
| RV3L003GN | n | 60 | 0,3 | - | - | - | - | 2,6 | 1,8 | 4,5 |
| RV3J001YN | 50 | 0,1 | 11 | 8,3 | 7,5 | 6,4 | 5,6 | - | 0,9 | |
| RV3G006GN | 40 | 0,6 | - | - | - | - | 1,1 | 0,8 | 4,5 | |
| RV3E007AJ | 30 | 0,7 | - | - | - | 0,36 | 0,25 | - | 2,5 | |
| RV3C002UN | 20 | 0,15 | - | 3,8 | 2,7 | 1,7 | 1,4 | - | 1,2 | |
| RV3E005AT | p | -30 | -0,5 | - | - | - | - | 0,9 | 0,62 | 4,5 |
| RV3C006BC | -20 | -0,6 | - | - | 0,72 | 0,5 | 0,39 | - | 1,5 | |
| RV3C001ZP | -0,1 | - | 10 | 6,0 | 3,4 | 2,5 | - | 1,2 |
Zapytania ofertowe
Najmniejsze na rynku tranzystory MOSFET w obudowach o wymiarach 0,6 x 0,4 x 0,36 mm
Zapytanie ofertowe
