Niskonapięciowe MOSFETy o małym iloczynie R_DS(on) x C_OSS

Do oferty firmy Toshiba trafia kolejna seria niskonapięciowych tranzystorów MOSFET charakteryzujących się zredukowaną rezystancją kanału i małym ładunkiem wyjściowym. Są one produkowane w nowej technologii U-MOS IX-H pozwalającej obniżyć wartość R_DS(on) do zaledwie 0,7 mΩ (maks. 0,85 Ω) w przypadku 40-woltowego modelu TPHR8504PL. Jego pojemność wyjściowa (C_OSS) wynosi 1930 pF, a powierzchnia obudowy to jedynie 6 x 5 mm.

W porównaniu z 40-woltowymi tranzystorami poprzedniej generacji UMOS VI-H, nowa rodzina U-MOS IX-H cechuje się mniejszą nawet o 65% rezystancją R_DS(on) przy tej samej powierzchni montażowej. Tranzystory te znajdują zastosowanie przede wszystkim w przetwornicach DC-DC i AC-DC dużej sprawności, pracujących z wysoką częstotliwością przełączania. Obok wersji 40-woltowych w najbliższym czasie Toshiba planuje wprowadzenie do sprzedaży modeli o napięciach przebicia od 30 do 60 V produkowanych w obudowach z opcją chłodzenia dwustronnego.