Pierwszy 150-woltowy tranzystor n-MOS w obudowie SC-70
SiA446DJ to pierwszy na rynku 150-woltowy tranzystor n-MOS produkowany w rekordowo małej obudowie PowerPAK SC-70 o powierzchni 2 x 2 mm, mniejszej o ponad 50% od tranzystorów poprzedniej generacji, zamykanych w obudowach TSOP-6 (3,0 x 2,8 mm). W stosunku do nich cechuje się też obniżoną rezystancją RDS(on), wynoszącą maksymalnie 177 mΩ @ VGS=10 V (185 mΩ @ 7,5 V, 250 mΩ @ 6 V).
Dopuszczalny ciągły prąd drenu dla tego modelu wynosi 7,7 A przy idealnym chłodzeniu (6,2 A przy temperaturze obudowy +70°C), a dopuszczalny prąd impulsowy to 10 A.
SiA446DJ nadaje się idealnie do zastosowań w impulsowych układach zasilania montowanych w urządzeniach o największej gęstości upakowania podzespołów. Stanowi rozszerzenie oferty miniaturowych tranzystorów MOSFET o średnim zakresie napięć, obejmującej m.in. wcześniejsze wersje 100-woltowe SiA416DJ (PowerPAK SC-70) i SiB456DK (PowerPAK SC-75).
