Małostratne tranzystory IGBT field-stop 1200 V/15...40 A na trudne warunki pracy

Firma STMicroelectronics dodaje do oferty 1200-woltowe tranzystory IGBT serii \"H\" w wersjach o dopuszczalnym prądzie 15, 25 i 40 A, przeznaczone do zastosowań w falownikach, spawarkach, zasilaczach UPS czy obwodach korekcji PFC. Są to tranzystory trench-gate field-stop drugiej generacji, których straty przy włączaniu i wyłączaniu obniżono o odpowiednio 30% i 15% w stosunku do poprzedników.

Ich dodatkowym atutem jest niskie napięcie nasycenia V_CE(sat), wynoszące od 2,1 V (typowo, przy nominalnym prądzie kolektora w temperaturze +100°C). Ponadto, są to tranzystory o dużej odporności na ekstremalne warunki pracy, nie zatrzaskujące się nawet po osiągnięciu 4-krotnego prądu nominalnego i wytrzymujące zwarcie przez minimum 5 ms przy początkowej temperaturze złącza +150°C. Ich maksymalna dopuszczalna temperatura złącza, wynosząca +175°C wydłuża czas bezawaryjnej pracy i ułatwia projektowanie systemu chodzenia.

Szeroki zakres bezpiecznej pracy (SOA) zwiększa niezawodność w aplikacjach wymagających rozpraszania dużych mocy. Dodatni współczynnik temperaturowy V_CE(sat) oraz małe różnice parametrów pomiędzy poszczególnymi egzemplarzami ułatwiają równoległe łączenie kilku tranzystorów.

Nowe tranzystory IGBT serii \"H\" są produkowane w obudowach TO-247. Ich ceny hurtowe zaczynają się od 2,18 USD przy zamówieniach 1000 sztuk.