Tranzystory MOSFET 500 V o małej rezystancji RDS(on) wykonane w nowej technologii superzłączowej
Do oferty firmy Vishay trafiły trzy nowe tranzystory MOSFET \"E Series\" o napięciu znamionowym 500 V, wykonane w technologii superzłączowej 2. generacji, zapewniającej równie małe straty na przewodzenie i przełączanie, jak w przypadku wcześniejszych wersji 600- i 650-woltowych \"E Series\". W porównaniu z wcześniejszymi 500-woltowymi tranzystorami \"D Series\" z oferty Vishay, nowe tranzystory SiHx25N50E zapewniają większą sprawność w układach impulsowych.
Ich rezystancję RDS(on) zmniejszono do 145 mW, a ładunek bramki Qg do typowo 57 nC (dla VGS=10 V).
Oferta obejmuje obecnie wersje produkowane w obudowach TO-220 (SiHP25N50E), TO-247AC (SiHG25N50E) i TO-220 FULLPAK (SiHA25N50E). Zostały one zaprojektowane do zastosowań przede wszystkim w zasilaczach impulsowych, gdzie istotne są jak najmniejsze straty na przewodzenie i przełączanie. Pracują z dopuszczalnym ciągłym prądem drenu wynoszącym 25 A @ +25°C oraz z prądem impulsowym do 50 A.
