10-amperowy tranzystor p-MOS o wymiarach 1,6 x 1,6 x 0,6 mm

Si8457DB to rekordowo mały tranzystor p-MOS stanowiący rozszerzenie linii układów MICRO FOOT (Vishay), produkowany w obudowie o wymiarach 1,6 x 1,6 x 0,6 mm. Charakteryzuje się napięciem przebicia V_DS równym -12 V i dużym dopuszczalnym napięciem sterowania bramki V_GS (±8 V) zapewniającym spory margines bezpieczeństwa w układach zasilanych akumulatorem litowo-jonowym.

Dopuszczalny ciągły prąd drenu dla tego modelu wynosi 10,2 A przez 5 s w temperaturze otoczenia +25°C i przy bardzo dobrym chłodzeniu.

Si8457DB został zaprojektowany do zastosowań jako przełącznik zasilania w urządzeniach bateryjnych o największym stopniu upakowania podzespołów. Jego rezystancja R_DS(on) wynosi maksymalnie 19 mΩ przy napięciu sterującym bramką równym -4,5 V, 23,4 mΩ przy -2,5 V i 35 mΩ przy -1,8 V. W porównaniu z najbliższym odpowiednikiem produkowanym w obudowie DFN o podobnych wymiarach, rezystancja R_DS(on) dla V_GS równego -1,8 V jest została tu zredukowana o blisko 20%.