Pamięć FRAM o rekordowo niskim poborze mocy

Fujitsu Semiconductor Europe wprowadza na rynek nową pamięć FRAM o rekordowo niskim poborze mocy, wyposażoną w funkcję licznika 43- lub 46-bitowego, pomocną przy współpracy z koderami, sensorami i układami sterowania silników. Układ ten, oznaczony symbolem MB85RDP16LX, charakteryzuje się pojemnością 2048 słów 8-bitowych. Może być wykorzystywany w aplikacjach energy harvest. Dzięki wbudowanym funkcjom optymalizacji umożliwia ograniczenie poboru mocy do mniej niż 10% wartości typowej dla standardowych pamięci FRAM.

Podczas, gdy w systemach mikroprocesorowych z konwencjonalną pamięcią jednostka MCU pobiera dane z pamięci, przeprowadza obliczenia i zapisuje wynik z powrotem do pamięci, MB85RDP16LX pozwala zastąpić te oddzielne fazy odczytu/zapisu pojedynczą komendą wysyłaną przez MCU, co pozwala zaoszczędzić nawet do 94% pobieranej energii. Czas przejścia z trybu uśpienia do stanu aktywnego został skrócony do zaledwie 5 ms, a więc jest 38-krotnie krótszy niż w standardowych pamięciach FRAM, co zapewnia dodatkową oszczędność. Ponadto, MB85RDP16LX może być podłączony do mikroprocesora za pomocą pojedynczego lub podwójnego interfejsu SPI. W tym drugim przypadku częstotliwość taktowania może zostać obniżona o połowę, a to oznacza kolejne oszczędności energetyczne przy tej samej szybkości transmisji danych.

Ważniejsze dane techniczne MB85RDP16LX:

• organizacja: 2048 słów x 8 bitów;
• częstotliwość taktowania interfejsu: 15 MHz (maks. dla SPI) / 7,5 MHz (maks. dla dual-SPI);
• niezawodność: 1013 cykli/bajt;
• czas retencji danych: 10 lat (+105°C);
• napięcie zasilania: 1,65...1,95 V;
• pobór prądu w stanie aktywnym: 0,7 mA (mjaks. przy 15 MHz);
• pobór prądu w trybie standby: 11 μA (maks. @ +105°C), 1 μA (+25°C);
• zakres temperatur pracy: -40 do +105°C;
• czas retencji danych: 10 lat;
• obudowa: SON-8 (3 x 2 mm).