Tranzystory n-MOS 600 V do układów impulsowych ZVS
Vishay Siliconix dodaje do oferty tranzystorów MOSFET nową serię tranzystorów n-kanałowych \"EF\" z wbudowaną szybką diodą regeneracyjną, zaprojektowanych do zastosowań w układach impulsowych ZVS (zero voltage switching) w aplikacjach telekomunikacyjnych i przemysłowych. Są to tranzystory o napięciu przebicia 600 V, stanowiące uzupełnienie wcześniejszej serii \"E\", zrealizowane w technologii superzłączowej 2. generacji.
Zapewniają 10-krotnie mniejszy ładunek regeneracyjny (Qrr) od standardowych tranzystorów MOSFET, co pozwala na szybsze odzyskanie zdolności do blokowania pełnego napięcia przebicia, zmniejszając ryzyko awarii wskutek przewodzenia obu tranzystorów w parze (shoot-through) i przegrzania. Ponadto, mniejszy ładunek Qrr oznacza mniejsze straty regeneracyjne niż w standadrowych tranzystorach MOSFET.
Nowa oferta obejmuje dwa typy tranzystorów (SiHx28N60EF, SiHx33N60EF) produkowane w kilku wariantach obudów, w tym TO-220, TO-247AC i TO-263. Charakteryzują się one dopuszczalnym prądem drenu odpowiednio 28 i 33 A, rezystancją RDS(on) wynoszącą maks. 123 i 98 mW oraz ładunkiem Qg odpowiednio 80 i 103 nC dla VGS=10 V.
