Miniaturowe tranzystory MOSFET w obudowach DFN0606 o wymiarach 0,6 x 0,6 x 0,4 mm

Firma Diodes powiększa ofertę podzespołów dyskretnych przeznaczonych do zastosowań w urządzeniach o największej gęstości upakowania podzespołów. Tym razem wprowadza na rynek tranzystory MOSFET zamykane w obudowach DFN0606, w tym dwa n-kanałowe o napięciach przebicia 20 i 30 V (DMN2990UFZ, DMN31D5UFZ) oraz p-kanałowy o napięciu przebicia 30 V (DMP32D9UFZ). Ich powierzchnia, wynosząca jedynie 0,6 x 0,6 mm, jest o 40% mniejsza od popularnego standardu DFN1006 (SOT883).

Równocześnie, tranzystory te zachowują parametry elektryczne odpowiadające parametrom tranzystorów produkowanych w większych obudowach, w tym małą zwłaszcza rezystancję R_DS(on). Ich dopuszczalna moc strat wynosi 300 mW. Dzięki niskiemu napięciu progowemu, poniżej 1 V mogą być one stosowane w urządzeniach zasilanych pojedynczą baterią, np. jako elementy układów zasilających i interfejsów oraz jako proste przełączniki sygnałów analogowych.