Tranzystory MOSFET rodziny NexFET o rekordowo małej rezystancji RDS(on)
Texas Instruments
Do oferty Texas Instruments wprowadzono 11 nowych tranzystorów MOSFET rodziny NexFET o rekordowo małej rezystancji RDS(on). Są to tranzystory n-kanałowe produkowane na napięcia przebicia 25 i 30 V, zamykane w obudowach QFN o powierzchni 6 x 5 mm. W nowej ofercie wyróżniają się zwłaszcza dwa modele: 25-woltowy CSD16570Q5B i 30-woltowy CSD17570Q5B o najmniejszej rezystancji RDS(on) spośród wszystkich dostępnych obecnie na rynku tego typu tranzystorów, zamykanych w obudowach QFN.
Są one polecane do układów O-Ring/hot-swap umożliwiających łączenie wyjść zasilaczy i zapewniających ich bezpieczną wymianę podczas pracy systemu. Warto też zwrócić uwagę na nowy 12-woltowy model FemtoFET CSD13383F4, którego wymiary to zaledwie 1,0 x 0,6 mm. Ceny tranzystorów z nowej oferty wynoszą od 0,1 USD (CSD13383F4) do 1,08 USD (CSD17670Q5B, CSD17570Q5B) przy zamówieniach 1000 sztuk.
| Oznaczenie | VDS/VGS | Obudowa [mm] | RDS(on) maks. [mΩ] | QG [nC] | |
| 4,5 V | 10 V | ||||
| CSD16570Q5B | 25/20 | QFN 5 x 6 (Q5B) | 0,82 | 0,59 | 95 |
| CSD17570Q5B | 30/20 | 0,92 | 0,69 | 93 | |
| CSD17573Q5B | 30/20 | QFN 5 x 6 (Q5B) | 1,45 | 1,0 | 49 |
| CSD17575Q3 | 30/20 | QFN 3,3 x 3,3 (Q3) | 3,2 | 2,3 | 23 |
| CSD17576Q5B | QFN 5 x 6 (Q5B) | 2,9 | 2,0 | 25 | |
| CSD17577Q5A | 30/20 | QFN 5 x 6 (Q5A) | 5,8 | 4,2 | 13 |
| CSD17577Q3A | QFN 3,3 x 3,3 (Q3A) | 6,4 | 4,8 | 13 | |
| CSD17578Q3A | 9,4 | 7,3 | 7,9 | ||
| CSD17579Q3A |
14,2 | 10,2 | 5,3 | ||
| CSD85301Q2 | 20/10 | QFN 2 x 2 (Q2) | 27 | N/A | 4,2 |
| CSD13383F4 | 12/10 | FemtoFET 0,6 x 1,0 (0402) | 44 | N/A | 2,0 |
