Zminiaturyzowane mostki tranzystorowe MOSFET w obudowach SO-8
DMHC4035LSD i DMHC3025LSD to zminiaturyzowane mostki tranzystorowe H-Bridge pozwalające dwukrotnie zmniejszyć wymaganą powierzchnię płytki drukowanej w porównaniu z alternatywnymi układami bazującymi na czterech dyskretnych tranzystorach MOSFET. Oba zawierają po dwa tranzystory p- i n-kanałowe z wbudowanymi diodami zabezpieczającymi. Różnią się dopuszczalnym napięciem pracy, wynoszącym 40 V dla DMHC4035LSD i 30 V dla DMHC3025LSD oraz z dopuszczalnym prądem ciągłym, wynoszącym odpowiednio 2 i 3 A (do +70°C).
Dopuszczalny prąd impulsowy jest identyczny dla obu wersji i wynosi 30 A. Rezystancje RDS(ON) wewnętrznych tranzystorów wynoszą przykładowo dla modelu 40-woltowego 45 mΩ @ VGS=10 V (dla tranzystorów n-MOS) i 65 mΩ @ VGS=-10 V (dla p-MOS).
DMHC4035LSD i DMHC3025LSD mogą być wykorzystane do sterowania silnikami, wentylatorami i innymi obciążeniami indukcyjnymi. Są produkowane w obudowach SO-8 (6,0 x 4,9 x 1,7 mm).
