Nowe wysokonapięciowe MOSFETy produkowane w technologii Gen II Super Junction
Vishay wprowadza do oferty serię 11 wysokonapięciowych MOSFETów produkowanych w technologii superzłączowej 2. generacji (Gen II Super Junction). Są one przewidziane do pracy w zakresie napięć VDS do 500 V. Oferują te same zalety w zakresie sprawności i gęstości mocy, co wcześniej wprowadzone na rynek tranzystory E Series produkowane na napięcia 600 i 650 V. Dzięki małym stratom na przewodzenie i przełączanie, tranzystory SiHxxxN50E umożliwiają realizację zasilaczy wysokiej klasy, spełniających wymogi wyższych standardów w zakresie sprawności, takich jak np. 80 PLUS.
W ramach nowej oferty produkowane są wersje o dopuszczalnym prądzie drenu od 12 do 20 A, których rezystancja RDS(ON) wynosi od 190 mΩ, a ładunek bramki od 22 nC.
| Symbol | ID [A] @ 25°C |
RDS(ON) [mΩ] @ 10 V (maks.) |
QG [nC] @ 10 V (typ.) |
Obudowa |
| SiHD12N50E |
12 | 380 | 22 | TO-252 |
| SiHP12N50E |
12 | 380 | 22 | TO-220 |
| SiHB12N50E |
12 | 380 | 22 | TO-263 |
| SiHA12N50E |
12 | 380 | 22 | Thin lead TO-220 FULLPAK |
| SiHP15N50E |
15 | 280 | 30 | TO-220 |
| SiHB15N60E |
15 | 280 | 30 | TO-263 |
| SiHA15N50E |
15 | 280 | 30 | Thin lead TO-220 FULLPAK |
| SiHG20N50E |
20 | 190 | 45 | TO-247AC |
| SiHP20N50E |
20 | 190 | 45 | TO-220 |
| SiHB20N50E |
20 | 190 | 45 | TO-263 |
| SiHA20N50E |
20 | 190 | 45 | Thin lead TO-220 FULLPAK |
