20-woltowy MOSFET o powierzchni 1 mm²

Si8410DB to miniaturowy n-kanałowy tranzystor MOSFET do urządzeń o największej gęstości upakowania podzespołów, produkowany w obudowie MICRO FOOT o powierzchni zaledwie 1 mm² i grubości 0,54 mm. Może być stosowany jako przełącznik zasilania lub szybki przełącznik o małych stratach w przetwornicach DC-DC. Charakteryzuje się napięciem przebicia równym 20 V i dopuszczalnym prądem drenu 5,7 A przy zapewnieniu skutecznego chłodzenia.

Jego rezystancja R_DS(on) wynosi 37 mΩ przy napięciu sterowania bramki 4,5 V oraz 41, 47 i 68 mW przy napięciach sterujących odpowiednio 2,5 V, 1,8 V i 1,5 V. W porównaniu z najbliższym odpowiednikiem zamykanym w obudowie CSP 1 mm², podane wartości R_DS(on) są mniejsze odpowiednio o 30...50%. Mała rezystancja R_DS(on) uzyskana już przy napięciu sterującym 1,5 V oraz dopuszczalny zakres napięć V_GS do ±8 V zapewniają równocześnie duży margines bezpieczeństwa i elastyczność przy projektowaniu układu sterowania.