Szybkie, wysokonapięciowe diody Schottky\'ego 600 V/30 A o grubości poniżej 1,1 mm
Oferta podzespołów pasywnych firmy Diodes powiększyła się o ultraszybkie, wysokonapięciowe prostownicze diody Zenera zamykane w płaskich obudowach D-Flat o grubości nieprzekraczającej 1,1 mm. Równocześnie obudowy te charakteryzują się stosunkowo dużą odległością między terminalami, zapewniającą izolację na poziomie wystarczającym do pracy w aplikacjach wysokonapięciowych do 1 kV.
Diody D-Flat wykazują napięcie przebicia (VRRM) przekraczające 600 V i dopuszczalny prąd impulsowy (IFSM) powyżej 30 A. Dzięki konstrukcji wykorzystującej specjalne zaciski mocujące strukturę półprzewodnikową do elektrod, zapewniają odporność na duże impulsy prądu rozruchowego i długi czas bezawaryjnej pracy. Kolejną zaletą jest duża dopuszczalna częstotliwość przełączania, zapewniająca małe straty mocy i dużą sprawność energetyczną realizowanych układów zasilania. Obecnie oferta diod D-Flat obejmuje 3 wersje: US1JDF-13 i US1MDF-13 o dopuszczalnym prądzie ciągłym 1 A oraz US2JDF-13 o dopuszczalnym prądzie ciągłym 2 A.
| US1JDF-13 | US1MDF-13 | US2JDF-13 | |
| Maks. średni prąd ciągły IO(A) | 1 | 1 | 2 |
| Szczytowe napięcie wsteczne VRRM (V) | 600 | 1000 | 600 |
| Maks. napięcie przewodzenia VF (V) | 1,7 | ||
| Maks. prąd wsteczny IR (µA) | 5,0 | ||
| Maks. szczytowy prąd przewodzenia IFSM (A) | 30 | ||
| Maks. czas regeneracji tRR (ns) | 75 | ||
| Wewnętrzna pojemność CT (pF) | 10 | ||
| Maks. moc rozpraszana PD (W) | 1,1 | 1,1 | 2 |
