Asynchroniczne pamięci SRAM 4 Mb z korekcją ECC

Cypress Semiconductor dodaje do oferty asynchronicznych pamięci SRAM nowe wersje o pojemności 4 Mb, wyposażone w blok ECC realizujący \"w locie\" korekcję błędów spowodowanych tzw. promieniowaniem tła. Zapewniają one najwyższą niezawodność bez konieczności stosowania zewnętrznych układów korekcyjnych. Ich współczynnik Soft Error Rate (SER) nie przekracza 0,1 FIT/Mb, gdzie FIT oznacza jeden błąd występujący na miliard godzin pracy układu.

Opcjonalnie pamięci te mogą być wyposażone w funkcję generacji sygnału potwierdzającego przeprowadzenie korekcji błędu na pojedynczym bicie.

Zakres zastosowań nowych układów obejmuje aplikacje przemysłowe, samochodowe, militarne i medyczne. Pod względem rozkładu wyprowadzeń zapewniono kompatybilność z wcześniejszymi wersjami, co pozwala projektantom zwiększyć niezawodność produktów bez konieczności przeprojektowywania płytek drukowanych. Oferta obejmuje trzy warianty pamięci:

• szybkie (Fast);
• energooszczędne (MoBL);
• szybkie z trybem PowerSnooze ograniczającym pobór prądu do maksymalnie 15 mA w stanie głębokiego uśpienia (Deep Sleep).

Każda z powyższych opcji obejmuje pamięci w konfiguracjach x8 i x16. Pracują one z napięciem zasilania 1,8, 3 i 5 V. Dostępne opcje obudów to SOIC-32, TSOPII-32, SOJ-36, SOJ-44, TSOPII-44 i VFBGA-48. Rozpoczęcie produkcji masowej zaplanowano na lipiec 2015.