Tranzystor MOSFET 900 V/32 A zrealizowany w technologii SiC

Firma Cree wprowadziła do oferty swój pierwszy 900-woltowy tranzystor MOSFET produkowany w technologii SiC, będący jednocześnie pierwszym tego typu tranzystorem dostępnym na rynku. C3M0065090J został zaprojektowany do zastosowań w układach zasilających (falowniki systemów fotowoltaicznych, stacje ładowania pojazdów elektrycznych, 3-fazowe zasilacze przemysłowe), pozwalając zmniejszyć ich rozmiary oraz zwiększyć częstotliwość pracy i sprawność energetyczną. Zapewnia parametry nieosiągalne w przypadku tradycyjnych procesów krzemowych.

C3M0065090J, bazujący na opracowanej przez firmę Cree planarnej technologii SiC jest tranzystorem o dopuszczalnym ciągłym prądzie drenu wynoszącym 32 A. Jego rezystancja kanału, wynosząca 65 mW @ +25°C i 90 mW @ +150°C jest najniższą spośród wszystkich 900-woltowych tranzystorów dostępnych obecnie na rynku. Poza standardowymi obudowami TO247-3 i TO220-3, C3M0065090J jest też dostępny w wariancie D2Pak-7L z połączeniem Kelvina, pomagającym zmniejszyć oscylacje bramki.