Superzłączowe tranzystory MOSFET 600 V o małym współczynniku R_DS(ON)A

Infineon Technologies AG wprowadza do oferty nową rodzinę superzłączowych tranzystorów MOSFET CoolMOS C7 o napięciu przebicia 600 V, zapewniających 50-procentową redukcję strat przy wyłączaniu w porównaniu z tranzystorami wcześniejszej rodziny CoolMOS CP. W elementach tych udało się zmniejszyć iloczyn R_DS(ON)*A do zaledwie 1 Ω/mm², co pozwoliło uzyskać najmniejszą rezystancję R_DS(ON) dla danego typu obudowy i zwiększyć gęstość mocy w aplikacjach docelowych.

Zakres zastosowań obejmuje głównie zasilacze impulsowe dużej mocy stosowane w serwerach, systemach telekomunikacyjnych i przemyśle, w których ważne jest uzyskanie jak największej sprawności przy niskich kosztach materiałowych i serwisowych.

Tranzystory CoolMOS C7 pozwalają zwiększyć sprawność energetyczną o 0,3...0,7% w przypadku topologii PFC oraz o 0,1% w przypadku topologii LLC. Dla zasilacza serwerowego o mocy 2,5 kW, zastosowanie tranzystorów CoolMOS C7 może obniżyć koszt traconej w nim energii o około 10%.

Ze względu na znacznie mniejszy ładunek bramki i pojemność wyjściową niż w innych podobnych tranzystorach, C7 może pracować nawet z dwukrotnie większą częstotliwością zegara przy praktycznie niezmienionej sprawności, co pozwala na stosowanie mniejszych i tańszych podzespołów magnetycznych. Jak podaje Infineon, zwiększenie częstotliwości taktowania z 65 do 130 kHz może obniżyć koszt podzespołów magnetycznych nawet o 30%.

Tranzystory CoolMOS C7 600 V są obecnie produkowane w 4-nóżkowych obudowach TO-220, TO-247 i TO-247, a w najbliższym czasie pojawią się też w wariantach TO-220 FP, DPAK, D2PAK i ThinPAK. Ich rezystancja R_DS(on) wynosi od 40 do 180 mΩ.