n-kanałowe MOSFETy 30 i 60 V w obudowach z obustronnym chłodzeniem

Toshiba Electronics Europe rozszerza rodzinę n-kanałowych tranzystorów MOSFET realizowanych w oparciu o nowy proces technologiczny U-MOS IX-H Trench o dwa nowe modele produkowane na napięcia znamionowe 30 V i 60 V. Oba są zamykane w obudowach DSOP Advance (6 x 5 mm) skutecznie rozpraszających ciepło dzięki dwustronnemu chłodzeniu. Cechują się małymi stratami mocy wynikającymi z małej rezystancji R_DS(on) i małego ładunku wyjściowego Q_OSS.

Przy napięciu sterującym V_GS=10 V wartości R_DS(on) i Q_OSS wynoszą odpowiednio 0,6 mΩ/2160 pF dla tranzystora 30-woltowego i 1,3 mΩ/960 pF dla 60-woltowego. Dopuszczalna temperatura pracy złącza to +175°C.

Ważniejsze dane techniczne 30-woltowego modelu TPWR8503NL:

• ciągły prąd drenu (I_D): 150 A @ +25°C;
• impulsowy prąd drenu (I_DP): 500 A (t=100 ms);
• rezystancja kanału (R_DS(on)): typ. 1,0 ΩW @ V_GS=4,5 V;
• prąd upływu (I_DSS): maks. 10 µA @ V_DS=30 V;
• moc rozpraszana (P_D): 142 W @ +25°C;
• całkowity ładunek bramki (Qg): typ. 74 nC;
• czas regeneracji (trr): typ. 58 ns.