Szybka niskonapięciowa pamięć CMOS DDR3L SDRAM o pojemności 8 Gb

Alliance Memory wprowadza na rynek szybką, niskonapięciową pamięć CMOS DDR3L SDRAM o pojemności 8 Gb produkowaną w 96-wyprowadzeniowej obudowie FBGA o powierzchni 14 x 9 mm. Jest to układ o organizacji wewnętrznej obejmującej osiem banków o rozmiarach 64 M x 16 bitów, którego architektura double data rate pozwala osiągnąć przepustowość 1600 Mbps przy częstotliwości taktowania 800 MHz.

Występuje w wariantach na komercyjny (0...+95°C) i przemysłowy (-40...+95°C) zakres temperatur pracy, oznaczonych symbolami odpowiednio AS4C512M16D3L-12BCN i AS4C512M16D3L-12BIN. Pracuje z napięciem zasilania 1,35 V, przy czym zapewnia kompatybilność z wcześniejszymi pamięciami zasilanymi napięciem 1,5 V. Umożliwia programowanie długości paczek danych przy zapisie/odczycie (4 lub 8) oraz trybu odświeżania (auto-refresh lub self-refresh).