Do oferty firmy STMicroelectronics dołączyły dwa superzłączowe tranzystory MOSFET rodziny MDmesh K5, będące pierwszymi na rynku tego typu elementami o napięciu przebicia 1500 V. Zaprojektowane do zastosowań m.in. w zasilaczach impulsowych i spawarkach, zapewniają dodatkowy margines bezpieczeństwa i większą sprawność energetyczną wynikającą z bardzo małego współczynnika FOM będącego iloczynem rezystancji RDS(on) i ładunku bramki.
W tego typu zastosowaniach, gdzie moc wyjściowa wynosi 200 W lub więcej, technologia superzłączowa jest preferowana ze względu na bardzo dobre właściwości dynamiczne tranzystorów.
STW12N150K5 i STW21N150K5 charakteryzują się dopuszczalnym prądem drenu wynoszącym odpowiednio 7 i 14 A. Pierwszy z nich wyróżnia się bardzo małym ładunkiem braki, wynoszącym 47 nC, a drugi bardzo małą rezystancją RDS(on) wynoszącą 0,9 Ω. Oba są zamykane w obudowach TO-247. Ich cena hurtowa wynosi 14 USD przy zamówieniach 1000 sztuk.
| Oznaczenie | VDSS | maks. RDS(on) @ VGS=10 V | maks. ID | PTOT | typ. Qg |
| STW12N150K5 | 1500 V | 1,9 Ω | 7 A | 250 W | 47 nC |
| STW21N150K5 | 1500 V | 0,9 Ω | 14 A | 446 W | 95 nC |