200-woltowe sterowniki tranzystorów MOSFET i IGBT high-side/low-side

Do oferty sterowników bramek tranzystorów MOSFET i IGBT firmy International Rectifier trafiły dwa nowe układy stanowiące rozszerzenie rodziny IRS200x: IRS2005S i IRS2005M zamykane w obudowach odpowiednio SOIC-8 i MLPQ-16. Zawierają one sterowniki tranzystorów high-side i low-side. Mogą znaleźć zastosowanie w systemach napędowych, w których różnica napięć sterowania tranzystorów high-side i low-side nie przekracza 200 V.

Oba oferują identyczne parametry elektryczne, w tym maksymalne napięcie sterujące równe 20 V, wydajność prądową (I_O+/I_O-) 290/600 mA, krótkie czasy włączania/wyłączania, odpowiednio 160/150 ns oraz precyzyjne dopasowanie czasowe kanałów (50 ns). Ich wejścia sterujące mogą być sterowane z układów logicznych zasilanych napięciami 3,3, 5 i 15 V.

W odróżnieniu od wcześniejszych wersji, IRS2005S i IRS2005M zawierają zabezpieczenie podnapięciowe nie tylko na wejściu zasilającym V_CC, ale również V_BS. Ich dopuszczalny zakres temperatur pracy rozciąga się od -40 do +125°C.

Rodzina IRS200x obejmuje obecnie 6 typów sterowników w wersji high-side, low-side i półmostkowych, produkowanych w oparciu o technologię HVJI (high-voltage junction isolation) pozwalającą zapewnić małe rozmiary obudów i tolerancję na przepięcia ujemne. Mogą one znaleźć zastosowanie w układach napędowych nisko- (24, 36, 48 V) i średnionapięciowych (60, 80, 100 V). Pomagają zwiększyć sprawność energetyczną systemu napędowego, równocześnie zapewniając niezbędną odporność na narażenia elektryczne.