Seria tranzystorów mocy GaN na pasmo DC...3,5 GHz

Firma Ampleon, będąca do niedawna oddziałem NXP Semiconductors zajmującym się transmisją danych i energii w paśmie w.cz., wprowadziła na rynek nową rodzinę tranzystorów GaN RF o mocy 10...200 W produkowanych w technologii HEMT 0,5 µm. Do oferty tej należą modele o mocy 10, 30, 50 i 100 W do wzmacniaczy na pasmo C oraz modele o mocy od 100 do 200 W do stopni końcowych wzmacniaczy pracujących w paśmie S.

Tranzystory rodziny CLF1G są produkowane w małogabarytowych ceramicznych obudowach o bardzo dobrej stabilności termicznej. Charakteryzują się najlepszą liniowością w swojej klasie i małymi stratami. Producent oferuje dla nich modele elektryczne, projekty referencyjne i płytki demonstracyjne. Typowe obszary zastosowań obejmują lotnictwo, radary, elektronikę wojskową i szerokopasmowe systemy komunikacyjne. Jednym z dostępnych już modeli jest 50-watowy CLF1G0035S-50 przeznaczony do pracy w zakresie częstotliwości od DC do 3,5 GHz. Charakteryzuje się on napięciem znamionowym 50 V i dopuszczalnym współczynnikiem VSWR do 10:1. Do masowej produkcji wkrótce ma wejść również wersja 100-watowa i kolejne.