Najszybsza na rynku pamięć DRAM 4 GB o przepustowości 256 GBps
Samsung rozpoczyna masową produkcję najszybszej obecnie na rynku pamięci DRAM o pojemności 4 GB, bazującej na interfejsie HBM drugiej generacji (HBM2). Układ zapewnia 7-krotnie większą przepustowość danych w porównaniu z najszybszymi dotąd pamięciami DRAM, wynoszącą 256 GBps. Nowa pamięć została zaprojektowana z myślą o zastosowaniach w systemach komputerowych HPC nowej generacji, na kartach graficznych, w infrastrukturze sieciowej i serwerach korporacyjnych.
Wykonano ją w procesie technologicznym 20 nm w układzie przestrzennym z czterema strukturami HBM2 o pojemności po 8 Gb ułożonymi warstwowo na dolnej strukturze bufora.
Całość jest połączona elektrycznie za pomocą przelotek TCV i mikro-wyprowadzeń sferycznych, podobnych jak w układach BGA. Pojedyncza 8-gigabitowa struktura HBM2 zawiera około 5000 przelotek TSV, a więc ponad 36-krotnie więcej niż w przypadku struktury 8 Gb TSV DDR4 wcześniejszej generacji, co świadczy o dużym skoku jakościowym w szybkości transmisji danych w porównaniu z wcześniejszymi strukturami łączonymi w technologii wire-bond.
Nowe pamięci DRAM zapewniają przepustowość 256 GBps, dwukrotnie większą od wcześniejszych pamięci HBM1 DRAM i ponad 7-krotnie większą od 4-gigabitowych pamięci GDDR5 DRAM. Ich kolejne zalety to dwukrotnie większy współczynnik przepustowości do poboru mocy w stosunku do 4-gigabitowych pamięci GDDR5 oraz wbudowana funkcja korekcji ECC.
Jeszcze w tym roku firma Samsung planuje wyprodukować pamięć HBM2 DRAM o pojemności 8 GB. Jej zastosowanie na kartach graficznych pozwoli zaoszczędzić ponad 95% powierzchni w porównaniu z pamięciami GDDR5 DRAM. Z tego względu pamięci HGM2 idealnie nadają się do zastosowań w układach graficznych urządzeń o największej gęstości upakowania podzespołów.
