Tranzystory IGBT o parametrach znamionowych do 1250 V/75 A w obudowach TO-247

Renesas Electronics dodaje do oferty tranzystorów IGBT serię sześciu tranzystorów 8. generacji produkowanych na zakres prądów kolektora do 75 A (przy +100°C) i na zakres napięć przebicia do 1250 V. Nowa oferta obejmuje wersje o parametrach znamionowych 650 V/40 A, 50 A i 75 A oraz 1250 V/25 A, 40 A i 75 A. Wśród nich znajduje się pierwszy w ofercie Renesas tranzystor o napięciu przebicia 1250 V, wyposażony w wewnętrzną diodę, zamykany w obudowie TO-247.

Tranzystory G8H, w których zaadoptowano architekturę Trench Gate, charakteryzują się równocześnie krótkimi czasami przełączania i niskim napięciem nasycenia V_CE(sat), wynoszącym 1,5 V dla wersji 650-woltowych i 2,1 V dla wersji 1250-woltowych. Ich zastosowanie pozwala minimalizować straty konwersji m.in. w zasilaczach UPS, układach napędowych, obwodach korekcji PFC, falownikach systemów fotowoltaicznych itp.

Oprócz mniejszych strat, drugą ważną zaletą nowych tranzystorów są znacznie mniejsze szumy bramki występujące przy przełączaniu niż w przypadku tranzystorów wcześniejszej generacji. Pozwala to wyeliminować rezystory na bramce, wykorzystywane we wcześniejszych obwodach do redukcji szumów. Tranzystory G8H mogą pracować w zakresie temperatur złącza do +175°C.