Podwójna dioda SiC o napięciu przebicia 1200 V
Do oferty firmy Fairchild trafiła pierwsza podwójna dioda wyprodukowana na bazie węglika krzemu (SiC), charakteryzująca się napięciem przebicia równym 1200 V. Została ona zaprojektowana do zastosowań przemysłowych, między innymi w szybkich falownikach współpracujących z panelami słonecznymi, układach napędowych i spawarkach, gdzie pozwala zapewnić zgodność z coraz ostrzejszymi normami w zakresie sprawności energetycznej i kompatybilności EMC.
Dioda FFSH40120ADN charakteryzuje się znacznie mniejszym prądem upływu od produktów konkurencyjnych w całym zakresie dopuszczalnych temperatur pracy do +175°C. Zapewnia bardzo krótkie czasy przełączania i brak wstecznego prądu regeneracyjnego, co w dużym stopniu zmniejsza straty mocy w porównaniu z typowymi diodami krzemowymi i pozwala uzyskać bardzo dużą sprawność energetyczną. Szybsze przełączanie pozwala też producentom stosować mniejsze cewki indukcyjne i inne współpracujące podzespoły pasywne, tym samym redukując wymiary i masę urządzeń oraz obniżając sumaryczny koszt podzespołów. Kolejnymi zaletami są zerowe napięcie regeneracji (brak przepięć przy przełączaniu) i stabilność parametrów w szerokim zakresie temperatur pracy. W porównaniu z odpowiednikami krzemowymi, FFSH40120ADN zapewnia znacznie większą niezawodność wynikającą z 10-krotnie większego napięcia przebicia i 3-krotnie większej przewodności termicznej. Dodatni współczynnik temperaturowy ułatwia łączenie równoległe diod.
Ważniejsze parametry FFSH40120ADN:
- VRRM: 1200 V,
- dopuszczalny prąd ciągły: 20 A na diodę,
- dopuszczalny prąd impulsowy:
- powtarzający się: 74 A (tp=8,3 ms),
- niepowtarzający się: 135 A (tp=8,3 ms), - energia przebicia lawinowego: 200 mJ,
- Ptot: 220 W @ +25°C (37 W @ +150°C),
- RthJ-C: 0,68 °C/W,
- zakres temperatur pracy złącza: od -55°C do +175°C.
