Diody Schottky\'ego SiC 650 i 1200 V o małym ładunku przełączania i odporności na duże impulsy prądowe

Firma Littelfuse dodała do oferty serię diod Schottky\'ego LFUSCD produkowanych na podłożach z węglika krzemu (SiC). Nadają się one idealnie do układów impulsowych od których wymaga się dużej niezawodności i sprawności energetycznej.

W porównaniu z typowymi bipolarnymi diodami krzemowymi wykazują mniejsze straty przy pracy impulsowej, mogą przewodzić większe prądy udarowe bez niekontrolowanego wzrostu temperatury i mogą pracować przy większej temperaturze złącza.

Występują obecnie w 11 wersjach o napięciach przebicia 650 i 1200 V oraz o prądach przewodzenia od 4 do 30 A. Ich napięcie przewodzenia wynosi ok. 1,5 V, prądy upływu zaczynają się od 170 µA (model LFUSCD04065A 650 V/4 A), a dopuszczalne prądy udarowe sięgają 120 A (model LFUSCD30120B, 1200 V/30 A).

Diody LFUSCD są polecane do zastosowań w przemysłowych systemach zasilania, falownikach w instalacjach solarnych, stacjach ładowania pojazdów EV/HEV i spawarkach plazmowych. Pracują w zakresie temperatur złącza do +175°C. Są produkowane w obudowach TO-220-2 i TO-247-3.