Tranzystory CoolMOS C7 Gold 650 V w obudowach SMD z dodatkową linią źródła w układzie Kelvina

Infineon Technologies dodaje do oferty tranzystorów rodziny CoolMOS nowy typ tranzystora oznaczonego symbolem CoolMOS C7 Gold 650 V, zamykanego w 4-wyprowadzeniowej obudowie TO-Leadless z dodatkową linią źródła w układzie Kelvina. Jest on polecany do układów korekcji PFC o mocy do 3 kW i innych układów impulsowych pracujących w trybie \"hard switching\" m.in. w układach zasilania serwerów i systemów telekomunikacyjnych.

W stosunku do poprzedniej rodziny tranzystorów CoolMOS C7 zapewnia dodatkowy 50-woltowy margines napięcia przebicia oraz jest produkowany w mniejszej obudowie o lepszych właściwościach termicznych i bardzo małej indukcyjności źródła rzędu 1 nH.

Obudowa TO-Leadless umożliwia wizualną inspekcję pół lutowniczych. Może być zarówno lutowana na fali, jak i w procesie przepływowym, co zmniejsza koszty produkcyjne. W porównaniu z innymi tradycyjnymi obudowami SMD, takimi jak D2Pak charakteryzuje się mniejszą o 30% powierzchnią montażową i mniejszą o 50% grubością.

Tranzystor CoolMOS C7 Gold 650 V może być montowany w tradycyjnym układzie 3-punktowym lub w układzie 4-punktowym z dodatkowym wyprowadzeniem źródła. Ta druga opcja niesie ze sobą korzyści w postaci większej sprawności, zwłaszcza przy pełnym obciążeniu i ułatwia wyeliminowanie oscylacji na bramce.

Obecnie oferta obejmuje 3 typy tranzystorów CoolMOS C7 Gold 650 V:

• IPT65R195G7 (maks. RDS(on)=195 Ω, maks. ID=14 A @ +25°C),
• IPT65R105G7 (maks. RDS(on)=105 Ω, maks. ID=24 A @ +25°C),
• IPT65R033G7 (maks. RDS(on)=45 Ω, maks. ID=69 A @ +25°C).