Na wystawie PCIM 2016 firma Rohm zaprezentowała najnowszy półmostkowy moduł dużej mocy BSM180D12P3C007 zrealizowany na podłożu SiC. Jest to moduł 3 generacji o napięciu znamionowym 1200 V i maksymalnym prądzie przewodzenia 180 A (360 A w impulsie), wyróżniający się małymi stratami przy pracy impulsowej.
Zawiera dwa tranzystory Trench MOSFET i dwie diody Schottky’ego umieszczone na podłożu o rozmiarach identycznych z poprzednimi wersjami. Dzięki bardzo małemu napięciu przewodzenia Vf i krótkiemu czasowi regeneracji wewnętrznych diod Schottky’ego praktycznie nie wykazuje strat regeneracyjnych, w wyniku czego jego straty przy pracy impulsowej są mniejsze o 77% od strat w konwencjonalnych tranzystorach IGBT oraz o 42% od strat w planarnych modułach SiC zawierających struktury SiC-DMOS 2. generacji.
Oznacza to nie tylko możliwość pracy z większą częstotliwością przełączania, ale też pozwala zmniejszyć wymiary systemów chłodzenia i komponentów współpracujących, co w konsekwencji pozwala realizować mniejsze produkty finalne.
BSM180D12P3C007 może znaleźć zastosowanie w układach napędowych, instalacjach fotowoltaicznych, elektrowniach wiatrowych i indukcyjnych systemach grzewczych. Pracuje w zakresie dopuszczalnych temperatur złącza od -40 do +150°C.