Tranzystory mocy GaN na pasmo 1805...3600 MHz do telekomunikacyjnych stacji bazowych

Na sympozjum IMS2016 (International Microwave Symposium) firma NXP Semiconductors zaprezentowała cztery nowe 48-woltowe tranzystory w.cz. GaN zoptymalizowane do wzmacniaczy Doherty’ego stosowanych w telekomunikacyjnych stacjach bazowych. Pokrywają one wspólnie pasmo od 1805 do 3600 MHz.

Charakteryzują się dużą mocą znamionową uzyskaną przy małych wymiarach obudów, dużą sprawnością i wzmocnieniem oraz odpornością na silne niedopasowane obciążenia (VSWR nawet powyżej 10:1). Zostały zoptymalizowane do integracji z cyfrowymi systemami linearyzacji redukującymi zniekształcenia sygnału.

A2G22S251-01S to szerokopasmowy podwójny tranzystor symetryczny na pasmo 1805...2170 MHz. W symetrycznym wzmacniaczu Doherty’ego pozwala osiągnąć średnią moc w.cz. równą 71 W (450 W w szczycie), wzmocnienie równe 16,5 dB i sprawność 46%. Jest produkowany w ceramicznej obudowie NI-400S-2S.

A2G26H281-04S to tranzystor o paśmie 2496...2690 MHz, średniej mocy wyjściowej 50 W (288 W w szczycie), wzmocnieniu 15,3 dB i sprawności 57%, zamykany w ceramicznej obudowie NI-780S-4L.

A2G35S160-01S i A2G35S200-01S to tranzystory o paśmie 3400...3600 MHz, średniej mocy wyjściowej 53 W (331 W w szczycie), wzmocnieniu 13,8 dB i sprawności 46%. Oba są produkowane w ceramicznych obudowach NI-400S-2S.