Energooszczędna pamięć CMOS SRAM 512 K x 16 bitów w obudowie TSOP-I

Do oferty firmy Alliance Memory dodano nową energooszczędną pamięć CMOS SRAM o pojemności 8 Mb (512 K x 16) mogącą znaleźć zastosowanie w charakterze zamiennika dla podobnych układów stosowanych w starszych systemach. Tego typu pamięci są obecnie dostępne w ofercie nielicznych producentów, którzy sukcesywnie wycofują je ze sprzedaży.

Nowy układ, oznaczony symbolem AS6C8016-55TIN pracuje z napięciem zasilania od 2,7 do 3,6 V pobierając typowo 30 mA prądu w stanie aktywnym i 1,5 µA w trybie standby.

Jest zamykany w 48-wyprowadzeniowej obudowie TSOP-I o wymiarach 20 x 12 x 1,2 mm. Zapewnia czas dostępu równy 55 ns. Znajduje zastosowanie w zarówno w przemyśle, telekomunikacji czy elektronice samochodowej, jak też w urządzeniach przenośnych.

Szczególnie dobrze nadaje się do wykorzystania jako pamięć nieulotna z podtrzymaniem bateryjnym (minimalne napięcie niezbędne do podtrzymania zawartości wynosi 1,2 V). Może pracować w zakresie temperatur otoczenia od -40 do +85°C.

Wszystkie linie wejściowe i wyjściowe są kompatybilne z poziomami napięć TTL. Oferta energooszczędnych pamięci Alliance Memory obejmuje też wersje o pojemności 64 i 256 K oraz 1, 2, 4, 8, 16 i 32 M. Cena hurtowa AS6C8016-55TIN wynosi 2,95 USD przy zamówieniach 1000 sztuk.