Podwójne tranzystory MOSFET do przetwornic DC-DC Buck w obudowach asymetrycznych

SQJ202EP i SQJ200EP to podwójne tranzystory MOSFET zaprojektowane do zastosowań w przetwornicach DC-DC Buck, zamykane w asymetrycznych obudowach PowerPAK SO-8L (6 x 5 mm) pozwalających ograniczyć wymaganą powierzchnię montażową.

Różnią się one napięciem przebicia wewnętrznych tranzystorów, wynoszącym odpowiednio 12 i 20 V. Uzyskały kwalifikację AEC-Q101. Oba zawierają n-kanałowe tranzystory TrenchFET high-side i low-side, których maksymalna rezystancja R_DS(on) wynosi już od 3,3 mΩ.

Łącząc dwie struktury tranzystorów MOSFET w pojedynczej asymetrycznej obudowie - większego tranzystora low-side o małej rezystancji R_DS(on) z mniejszym tranzystorem high-side o krótkim czasie przełączania, SQJ202EP i SQJ200EP pozwalają osiągnąć lepsze parametry elektryczne i mniejszą powierzchnię montażową od podobnych układów produkowanych w standardowych obudowach symetrycznych.

Uwidacznia się to zwłaszcza w synchronicznych konwerterach wysokoprądowych typu buck. Oba układy mogą pracować w szerokim zakresie temperatur złącza do +175°C, co pozwala na zastosowania w elektronice samochodowej.

SQJ202EP jest zalecany do zastosowań w systemach o napięciu szyny zasilającej do 8 V i charakteryzuje się bardzo małą rezystancją R_DS(on) tranzystora low-side, równą 3,3 mΩ. Z kolei 20-woltowy SQJ200EP jest polecany do aplikacji o większym napięciu szyny zasilającej i charakteryzuje się nieco większą rezystancją kanału równą 3,7 mΩ.